전 처리 Pre Treatment

에칭(Etching)공정이 진행되기 전 인바(Invar) 원자재에 대한 검사 및 세정을 진행합니다.
인바 소재의 특성으로 인해 처짐 등 완제품 메탈 마스크의 시간에 따른 변형이 진행됩니다.

㈜세우인코퍼레이션에서는 에칭 공정과 완제품 이후의 오차와 변형을 예측하고 제품 설계에 반영하여 최적의 제품 컨디션을 도출해내고 있습니다.

라미네이팅 Laminating

패턴 에칭을 위해 인바(Invar) 원자재에 필름을 합지하는 공정을 진행합니다.
인바에 필름을 덧입혀 스크래치로부터 제품을 보호하고 에칭 공정에서 식각 패턴이 형성될 수 있도록 합니다.

포토리소그래피 공정에 고해상도, 고밀착성의 DFR film을 도입하여 국내외 최고 성능의 Sewoo OLED Mask 제작을 진행하고 있습니다.

• 고밀착성

• Silicone Free

• 고해상도

• 케리어 필름 상온이형

• 발색 시인성

필름 포토 마스크 Film Photo Mask

UV 노광 공정에 필요한 OLED Mask/분할 스틱용 Mask Film을 출력 및 Invar 원단에 합지 시킵니다.
빔 이퀄라이제이션을 갖춘 Photoplotter를 이용하여 CAD/CAM으로 설계된 여러가지 각 패턴부들의 기록용 신호에 근거하여 고출력 반도체 Laser를 Photo Film 표면에 노출시킵니다.

노광 Exposure

설계된 식각 패턴대로 빛에 제품을 노출시키는 노광 공정을 진행합니다. 추후 에칭 공정에서 빛에 노출된 영역을 삭제하거나 노출된 영역을 남기고 다른 영역을 삭제합니다. 빛에 노출된 영역을 삭제하는 Positive PR(Photolithography)과 빛에 노출된 영역을 남기고 다른 영역을 삭제하는 Negative PR(Photolithography)이 있습니다. 현재 세우에서는 Negative PR 방식을 사용하고 있습니다.

패턴을 가공할 때 UV 광으로 드라이 필름을 변화시켜(B 부분) 현상 공정에서 필름이 박리되지 않게 하고, 반대로 UV 광이 투과되지 않는 A 부분은 현상 공정에서 박리되고 에칭 공정에서 이 부분이 에칭되면서 패턴 가공이 완성된다

마스크 Mask

필요한 미세패턴을 형성하기 위하여 제작된 판

감광성고분자(PR, Photo Resist)

특정 파장의 빛에 의해 성질(용해도)이 변하는 물질로 Positive PR, Negative PR 2가지 종류가 존재한다

Positive PR : 빛을 받은 부위가 현상액에 의해 제거
Negative PR : 빛을 받은 부분은 현상액에 의해 제거되지 않음

현상 Development

제품 표면에 도포된 PR 물질에 빛을 쏘아 빛을 받은 영역과 그렇지 않은 영역이 구분되면 현상액을 통해 원하지 않는 부분을 선택적으로 제거하여 패턴, 모양 등을 구현합니다.

에칭 Etching

증착 레이어 표면에 남아있는 PR을 따라 식각을 진행합니다.
에칭에는 두 가지 방법이 있는데 표면에 화학 반응을 일으켜 식각시키는 습식(Wet) 에칭과 물리적인 방법을 이용하여 화학 용액 없이 진행하는 건식(Dry) 에칭이 있습니다.

박리 Strip

에칭 공정이 완료된 제품으로부터 PR을 벗겨내는 공정을 진행합니다.

세정 Cleaning

라미네이팅, PR, 에칭에 사용된 용액 등을 말끔하게 제거하기 위해 세정 공정을 진행합니다.
(주)세우인코퍼레이션에서 독자적으로 개발한 세정액과 세정 장비를 통해, 마스크에 잔존하는 Damage 없이 최상의 컨디션으로 세정이 가능합니다.